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首頁 - 分立半導體 -

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作者:網(wǎng)站管理員    發(fā)布時間:2022-05-05    瀏覽次數(shù):

產(chǎn)品屬性
類型 描述
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 卷帶(TR)
剪切帶(CT)
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 200mA(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 1.2 歐姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 1V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 1.4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 115 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 VMT3
封裝/外殼 SOT-723
基本產(chǎn)品編號 RZM002

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