TOSHIBA(東芝)-SSM3J351R

1.SSM3J351R應用

? 電源管理開關

2.SSM3J351R特性

（1） 4 V 驅動
（2）低漏源導通電阻：
RDS（ON） = 107 mΩ（典型值）（VGS = -10 V）

RDS（ON） = 122 mΩ（典型值）（VGS = -4.5 V）

RDS（ON） = 129 mΩ（典型值）（VGS = -4.0 V）

3.SSM3J351R絕對最大額定值（注）（除非另有說明，否則 Ta = 25 ）

注：在重負載下連續使用（例如施加高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）可能會導致本產品的可靠性顯著下降，即使使用條件（即工作溫度/電流/電壓等）在絕對最大額定值范圍內。請在查看東芝半導體可靠性手冊（“處理注意事項”/“降額概念和方法”）和各個可靠性數據（即可靠性測試報告和估計故障率等）后設計適當的可靠性。

注 1：確保通道溫度不超過 150 。

注 2：脈沖寬度（PW） ≤ 1 ms，占空≤比 1 % 注 3：器件安裝在 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm FR4 玻璃環氧樹脂板上（銅墊：645 mm2）

注 4：VDD = 25 V，Tch = 25 （初始狀態），L = 1 mH，RG = 25 Ω注：該晶體管對靜電放電敏感，應小心處理。注意：該器件中的 MOSFET 對靜電放電敏感。處理此設備時，應保護工作臺、操作員、烙鐵和其他物體免受防靜電放電。注：通道到環境的熱阻 Rth（ch-a）和漏極功率耗散 PD 根據電路板材料、電路板面積、電路板厚度和焊盤面積而變化。使用此設備時，請務必充分考慮散熱。