TOSHIBA(東芝)-SSM3J358R

1.SSM3J358R應用

? 電源管理開關

2.SSM3J358R特性

（1) 1.8 V 驅動
（2）低漏源導通電阻：
RDS（ON） = 49.3 mΩ（最大值）（@VGS = -1.8 V） RDS（ON） = 32.8 mΩ（最大值）（@VGS = -2.5 V） RDS（ON） = 27.7 mΩ（最大值）（@VGS = -3.6 V） RDS（ON） = 25.3 mΩ（最大值）（@VGS = -4.5 V） RDS（ON） = 22.1 mΩ（最大值）（@VGS = -8 V）

3.SSM3J358R絕對最大額定值（注）（除非另有說明，否則 Ta = 25 ）

注：在重負載下連續(xù)使用（例如施加高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）可能會導致本產(chǎn)品的可靠性顯著下降，即使使用條件（即工作溫度/電流/電壓等）在絕對最大額定值范圍內(nèi)。請在查看東芝半導體可靠性手冊（“處理注意事項”/“降額概念和方法”）和各個可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測試報告和估計故障率等）后設計適當?shù)目煽啃浴?

注 1：確保通道溫度不超過 150 度。

注 2：脈沖寬度 ≤ 10 ms，占空≤比 1 %

注 3：安裝在 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm FR4 上的器件，銅焊盤：645 mm

2 注：該器件中的 MOSFET 對靜電放電敏感。處理此設備時，應保護工作臺、操作員、烙鐵和其他物體免受防靜電放電。

注：通道到環(huán)境的熱阻 Rth（ch-a）和漏極功率耗散 PD 根據(jù)電路板材料、電路板面積、電路板厚度和焊盤面積而變化。使用此設備時，請務必充分考慮散熱。

4.SSM3J358R靜態(tài)特性（除非另有說明，否則 Ta= 25 ）

注 1：如果在門和源之間施加反向偏置，該器件將進入 V（BR）DSX 模式。請注意，在此模式下，漏極擊穿電壓會降低。注 2：設 Vth 為施加在柵極和源極之間的電壓，該電壓導致漏極電流（ID）低于（本器件為 -1 mA）。然后，對于正常的開關操作，VGS（ON）必須高于 Vth，VGS（OFF）必須低于 Vth。此關系可以表示為：VGS（OFF） < Vth < VGS（ON）。使用設備時請考慮這一點。注 3：脈沖測量。